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首頁行業(yè)博客 愛普生發(fā)布5G室外基站控制器溫補晶振X1G006061009514

愛普生發(fā)布5G室外基站控制器溫補晶振X1G006061009514

來源:http://www.mingdakt.cn 作者:cies 2022年09月23
愛普生發(fā)布5G室外基站控制器溫補晶振X1G006061009514,愛普生通過應(yīng)用其多年來開發(fā)的高效、緊湊和精密技術(shù)來解決挑戰(zhàn),尋求推進(jìn)工業(yè)前沿并推動循環(huán)經(jīng)濟。這些技術(shù)可以節(jié)省能源、實現(xiàn)更小的產(chǎn)品并提高準(zhǔn)確性和精度,使愛普生有源晶振能夠為可持續(xù)發(fā)展目標(biāo) (SDG) 做出貢獻(xiàn),從而為所有人帶來更美好、更可持續(xù)的未來。
愛普生公司推出了TG-5510CB晶振,溫補晶振編碼X1G006061009514,頻率20.000000兆赫,輸出WaveCMOS,電源電壓3.13 ~ 3.46 V,電源電壓(一般)3.300 V,尺寸(LxWxH)5.0 x 3.2 x 1.5 mm,操作溫度-40至+85°C,頻率公差+/- 1.0 ppm,說明- TG-5510CB是一種高穩(wěn)定性TCXO可與任何一種CMOS或裁剪正弦輸出,5G基站和邊緣計算可調(diào)至+85℃,需要戶外安裝,小型化和無風(fēng)扇操作,與其他tcxo相比,它提供了各種改進(jìn),如由于低溫的坡度和相位噪聲,符合GR-1244-CORE Stratum3和G.8262.1, G.8273.2 (A類,B類),注意:本產(chǎn)品沒有電壓控制(Vc)功能,應(yīng)用程序:網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,5G室外基站控制器,微波,同步遵從性標(biāo)準(zhǔn),Stratum3,SyncE,IEEE1588,具備良好的耐壓性能以及可靠性能。
愛普生晶振原廠編碼 Model Frequency LxWxH Output Wave Supply Voltage F.Tol@25°C Ope Temperature
X1G006021000314 TG5032CKN 50.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.50 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to +85 °C
X1G006061004514 TG-5510CB 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.50 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to +105 °C
X1G006061004814 TG-5510CB 50.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.50 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to +105 °C
X1G006061007614 TG-5510CB 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.50 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to +85 °C
X1G006061008214 TG-5510CB 38.400000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.50 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to +85 °C
X1G006061009014 TG-5510CB 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.50 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to +85 °C
X1G006061009214 TG-5510CB 25.600000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.50 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to +85 °C
X1G006061009414 TG-5510CB 12.800000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.50 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to +85 °C
X1G006061009514 TG-5510CB 20.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.50 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to +85 °C
X1G006061009714 TG-5510CB 50.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.50 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to +85 °C
X1G006061009814 TG-5510CB 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.50 mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to +85 °C
X1G005241000200 TG5032SGN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241000300 TG5032SGN 25.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241000400 TG5032SGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241000700 TG5032SGN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241000800 TG5032SGN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241000900 TG5032SGN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241001000 TG5032SGN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave 2.700 to 3.000 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241001200 TG5032SGN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave 2.700 to 3.000 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C
X1G005241001300 TG5032SGN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm -40 to ++85 °C

愛普生發(fā)布5G室外基站控制器溫補晶振X1G006061009514,TCXO和OCXO振蕩器以及其它利用基波或諧波方式的石英晶體振蕩器具有最好的相位噪聲性能。采用鎖相環(huán)合成器產(chǎn)生輸出頻率的振蕩器比采用非鎖相環(huán)技術(shù)的振蕩器一般呈現(xiàn)較差的相位噪聲性能。抖動與相位噪聲相關(guān),但是它在時域下測量。

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